STU13N65M2
Aanvraag Prijs & Lead Time
STU13N65M2 zijn beschikbaar, we kunnen STU13N65M2 leveren, gebruik het offerteformulier om STU13N65M2 pirce en doorlooptijd aan te vragen.Atosn.com een professionele distributeur van elektronische componenten.We hebben een grote voorraad en kunnen snelle levering, neem vandaag nog contact met ons op en onze verkoopvertegenwoordiger zal u de prijs en de verzendgegevens op onderdeel # STU13N65M2 verstrekken.en technisch team, we kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Offerte aanvragen
product Paramters
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverancier Device Pakket
- IPAK (TO-251)
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 430 mOhm @ 5A, 10V
- Vermogensverlies (Max)
- 110W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Verpakking / doos
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Andere namen
- 497-15574-5
- Temperatuur
- 150°C (TJ)
- montage Type
- Through Hole
- Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Loodvrije status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 590pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
- 10V
- Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
- 650V
- gedetailleerde beschrijving
- N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
vergelijkbare producten
- STMicroelectronics STU13N65M2
- STU13N65M2-gegevensblad
- STU13N65M2-gegevensblad
- STU13N65M2 pdf-gegevensblad
- Download STU13N65M2 datasheet
- STU13N65M2-afbeelding
- STU13N65M2-deel
- ST STU13N65M2
- STMicroelectronics STU13N65M2