STU16N65M2
Aanvraag Prijs & Lead Time
STU16N65M2 zijn beschikbaar, we kunnen STU16N65M2 leveren, gebruik het offerteformulier om STU16N65M2 pirce en doorlooptijd aan te vragen.Atosn.com een professionele distributeur van elektronische componenten.We hebben een grote voorraad en kunnen snelle levering, neem vandaag nog contact met ons op en onze verkoopvertegenwoordiger zal u de prijs en de verzendgegevens op onderdeel # STU16N65M2 verstrekken.en technisch team, we kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Offerte aanvragen
product Paramters
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverancier Device Pakket
- IPAK (TO-251)
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 360 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vermogensverlies (Max)
- 110W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Verpakking / doos
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Andere namen
- 497-15248-5
- Temperatuur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- montage Type
- Through Hole
- Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Loodvrije status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 718pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 19.5nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
- 10V
- Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
- 650V
- gedetailleerde beschrijving
- N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
vergelijkbare producten
- STMicroelectronics STU16N65M2
- STU16N65M2-gegevensblad
- STU16N65M2-gegevensblad
- STU16N65M2 pdf-gegevensblad
- Download STU16N65M2 datasheet
- STU16N65M2-afbeelding
- STU16N65M2-deel
- ST STU16N65M2
- STMicroelectronics STU16N65M2