Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Loodvrij / RoHS-conform
Aanvraag Prijs & Lead Time
STQ2NK60ZR-AP zijn beschikbaar, we kunnen STQ2NK60ZR-AP leveren, gebruik het offerteformulier om STQ2NK60ZR-AP pirce en doorlooptijd aan te vragen.Atosn.com een professionele distributeur van elektronische componenten.We hebben een grote voorraad en kunnen snelle levering, neem vandaag nog contact met ons op en onze verkoopvertegenwoordiger zal u de prijs en de verzendgegevens op onderdeel # STQ2NK60ZR-AP verstrekken.en technisch team, we kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Offerte aanvragen
product Paramters
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverancier Device Pakket
- TO-92-3
- Serie
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 8 Ohm @ 700mA, 10V
- Vermogensverlies (Max)
- 3W (Tc)
- Packaging
- Tape & Box (TB)
- Verpakking / doos
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Andere namen
- 497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
- Temperatuur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- montage Type
- Through Hole
- Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikant Standaard Levertijd
- 38 Weeks
- Loodvrije status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 170pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 10nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
- 10V
- Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
- 600V
- gedetailleerde beschrijving
- N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 400mA (Tc)
vergelijkbare producten
- STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP
- STQ2NK60ZR-AP-gegevensblad
- STQ2NK60ZR-AP-gegevensblad
- STQ2NK60ZR-AP pdf-gegevensblad
- Download STQ2NK60ZR-AP datasheet
- STQ2NK60ZR-AP-afbeelding
- STQ2NK60ZR-AP-deel
- ST STQ2NK60ZR-AP
- STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP