STP33N65M2
Aanvraag Prijs & Lead Time
STP33N65M2 zijn beschikbaar, we kunnen STP33N65M2 leveren, gebruik het offerteformulier om STP33N65M2 pirce en doorlooptijd aan te vragen.Atosn.com een professionele distributeur van elektronische componenten.We hebben een grote voorraad en kunnen snelle levering, neem vandaag nog contact met ons op en onze verkoopvertegenwoordiger zal u de prijs en de verzendgegevens op onderdeel # STP33N65M2 verstrekken.en technisch team, we kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Offerte aanvragen
product Paramters
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverancier Device Pakket
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 140 mOhm @ 12A, 10V
- Vermogensverlies (Max)
- 190W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Verpakking / doos
- TO-220-3
- Andere namen
- 497-15560-5
- Temperatuur
- 150°C (TJ)
- montage Type
- Through Hole
- Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikant Standaard Levertijd
- 42 Weeks
- Loodvrije status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1790pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 41.5nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
- 10V
- Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
- 650V
- gedetailleerde beschrijving
- N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 24A (Tc)
vergelijkbare producten
- STMicroelectronics STP33N65M2
- STP33N65M2-gegevensblad
- STP33N65M2-gegevensblad
- STP33N65M2 pdf-gegevensblad
- Download STP33N65M2 datasheet
- STP33N65M2-afbeelding
- STP33N65M2-deel
- ST STP33N65M2
- STMicroelectronics STP33N65M2