STP80N10F7
Aanvraag Prijs & Lead Time
STP80N10F7 zijn beschikbaar, we kunnen STP80N10F7 leveren, gebruik het offerteformulier om STP80N10F7 pirce en doorlooptijd aan te vragen.Atosn.com een professionele distributeur van elektronische componenten.We hebben een grote voorraad en kunnen snelle levering, neem vandaag nog contact met ons op en onze verkoopvertegenwoordiger zal u de prijs en de verzendgegevens op onderdeel # STP80N10F7 verstrekken.en technisch team, we kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Offerte aanvragen
product Paramters
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverancier Device Pakket
- TO-220
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 10 mOhm @ 40A, 10V
- Vermogensverlies (Max)
- 110W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Verpakking / doos
- TO-220-3
- Andere namen
- 497-14834-5
STP80N10F7-ND
- Temperatuur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- montage Type
- Through Hole
- Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikant Standaard Levertijd
- 38 Weeks
- Loodvrije status / RoHS-status
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3100pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
- 10V
- Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
- 100V
- gedetailleerde beschrijving
- N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
vergelijkbare producten
- STMicroelectronics STP80N10F7
- STP80N10F7-gegevensblad
- STP80N10F7-gegevensblad
- STP80N10F7 pdf-gegevensblad
- Download STP80N10F7 datasheet
- STP80N10F7-afbeelding
- STP80N10F7-deel
- ST STP80N10F7
- STMicroelectronics STP80N10F7